Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP40N10_F102
40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL PO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP40N10
RFP40N10_F102 Hakkında
RFP40N10_F102, Rochester Electronics tarafından üretilen 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 40mOhm maksimum on-state direnci ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve inverter tasarımlarında yaygın olarak tercih edilmektedir. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan transistör, -55°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığında stabil performans gösterir. 160W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle orta ve yüksek güç uygulamalarına uyygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok