Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP3N45

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP3N45

RFP3N45 Hakkında

RFP3N45, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 450V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 3A sürekli dren akımı ile orta güç seviyesi anahtarlama uygulamalarına uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 3Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gücü denetleme devreleri, motor kontrol, anahtarlı güç kaynakları ve benzer güç elektroniksi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 60W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok