Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP2P10
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP2P10
RFP2P10 Hakkında
RFP2P10, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate drive voltajında 3.5Ω maksimum on-state direncine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) 25W güç tüketebilir. MOSFET teknolojisine dayalı bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve LED sürücü uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ile çalışabilir ve 150pF input kapasitanası sayesinde hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok