Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP2P08

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP2P08

RFP2P08 Hakkında

RFP2P08, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim (Vdss) desteği ile ve 2A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi bulunmaktadır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 25W'a kadar güç yayınlayabilir. Rds On değeri 10V gate geriliminde 3.5Ω olarak belirlenmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Through hole montaj tipine sahip olması geleneksel PCB tasarımlarında kolaylık sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok