Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP2N20
N-CHANNEL, MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP2N20
RFP2N20 Hakkında
RFP2N20, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 200V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 10V sürüş geriliminde 3.5Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 25W güç tüketebilir. Vgs(th) değeri 250µA'da 4V olup, maksimum gate-source gerilimi ±20V'tur. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegrasyona uygun olan bu MOSFET, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve düşük-orta güç elektronik devrelerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok