Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP2N18
N-CHANNEL, MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP2N18
RFP2N18 Hakkında
RFP2N18, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 180V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılan bir güç transistörüdür. TO-220-3 kasa tipi ile through-hole montajı destekler. 10V gate-source drive voltajında 3.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 25W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile endüstriyel kontrolü, motor sürücüleri, anahtarlı güç kaynakları ve genel amaçlı DC anahtarlama devrelerinde uygulanır. ±20V maksimum VGS ile geniş güvenlik marjı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 180 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok