Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP2N15

N-CHANNEL, MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP2N15

RFP2N15 Hakkında

RFP2N15, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, 10V drive voltajında 1.75Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 25W maksimum güç tüketimi ile güç yönetimi, anahtar uygulamaları ve ses amplifikasyonu gibi alanlarda kullanılır. 200pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 4V threshold gerilimi ile kontrollü devre tasarımlarına uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok