Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP2N12
N-CHANNEL, MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP2N12
RFP2N12 Hakkında
RFP2N12, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, 10V drive voltajında 1.75Ω on-resistance değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışmaktadır. 25W güç yayılım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. Vgs threshold voltajı 4V (@250µA) olup, maksimum ±20V gate-source gerilimi dayanımına sahiptir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve relay sürücü uygulamalarında kullanımı uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok