Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP2N10
N-CHANNEL, MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP2N10
RFP2N10 Hakkında
RFP2N10, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi, 2A sürekli drain akımı ve 1.05Ω maksimum on-direnci ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V drive voltajında çalışır. -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığına sahiptir. 25W maksimum güç tüketimiyle, güç elektriği uygulamalarında, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 5V Vgs ile aktive edilen ve 4V threshold voltajına sahip transistör, endüstriyel kontrol sistemlerinde ve güç yönetim devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 2A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok