Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP18N08

N-CHANNEL, MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP18N08

RFP18N08 Hakkında

RFP18N08, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 100mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipinde through-hole montajına uygun olup, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi, motor sürücüleri ve düşürücü konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 75W güç taşıyabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok