Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP15N12
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP15N12
RFP15N12 Hakkında
RFP15N12, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 120V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş geriliminde 150mΩ maksimum on-direnci ile karakterizedir. 75W güç disipasyonu yeteneğine ve -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük on-direnci ve hızlı anahtarlama özellikleri, verimli güç elektronik tasarımlarında tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok