Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP12N10L
12A, 100V, 0.2OHM, N-CHANNEL, MO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP12N10L
RFP12N10L Hakkında
RFP12N10L, Rochester Electronics tarafından üretilen 12A/100V N-Channel MOSFET transistördür. 200mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayan bu komponent, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 60W güç dağılım kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüler, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yer alır. 5V gate voltajda tam iletim sağlayan yapı, dijital kontrol devrelerine doğrudan uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 12A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok