Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP12N10L
MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP12N10L
RFP12N10L Hakkında
RFP12N10L, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 12A sürekli drenaj akımını destekler. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 5V gate sürüş voltajında 200mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 60W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Vgs(th) değeri 250µA akımda 2V olup, ±10V maksimum gate-source gerilimi ile çalışır. Endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 12A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok