Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP12N06RLE

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP12N06RLE

RFP12N06RLE Hakkında

RFP12N06RLE, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ile 18A sürekli dren akımına (Id @ 25°C) sahiptir. 10V gate geriliminde 63mOhm'luk düşük on-resistance (Rds On) değeri sayesinde enerji kaybı minimize edilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışmaya uygun olup 49W maksimum güç dağıtabilir. Gate charge değeri 15nC'dir. Endüstriyel kontrol, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok