Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP10P15

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP10P15

RFP10P15 Hakkında

RFP10P15, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 150V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile tasarlanmış olup, 25°C sıcaklıkta 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, endüstriyel anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 10V kapı geriliminde 500mΩ maksimum On-direnci (Rds On) ve 4V eşik gerilimi (Vgs(th)) ile hızlı açılma-kapanma işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 75W maksimum güç tüketimi özellikleriyle çeşitli uygulamalarda güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok