Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP10P12
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP10P12
RFP10P12 Hakkında
RFP10P12, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 120V drain-source geriliminde 10A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 10V gate sürüş geriliminde 500mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, 75W maksimum güç yayınlayabilir. 4V eşik gerilimi ve ±20V maksimum gate gerilimi ile tasarlanmıştır. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrolü ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır. Metal Oxide FET teknolojisine dayalı tasarımı güvenilir anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok