Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFP10N15L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFP10N15L

RFP10N15L Hakkında

RFP10N15L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 150V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5V gate sürüş geriliminde maksimum 300mOhm on-resistance değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sağlanan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı regülatör uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 60W güç tüketim kapasitesi ile orta güç uygulamaları için uygundur. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 5A, 5V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok