Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFP10N12L
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFP10N12L
RFP10N12L Hakkında
RFP10N12L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 120V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, 5V gate sürme geriliminde 300mΩ maksimum On-Resistance değerine sahiptir. 60W maksimum güç dağılımı kabiliyeti ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. 1200pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 5A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok