Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFM6P10

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RFM6P10

RFM6P10 Hakkında

RFM6P10, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET'tir. 100V Vdss derecelendirilmesi ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 600mΩ maksimum Rds(On) değeri ile verimli iletim özelliği sunar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynağı tasarımları ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 60W maksimum güç kaybı toleransında tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok