Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFM12N10
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-204AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFM12N10
RFM12N10 Hakkında
RFM12N10, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve doğru akım motor kontrolü gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer bulur. 75W maksimum güç tüketimi ve 200mOhm RDS(on) değeriyle verimli şalterleme işlemi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok