Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFM10N50
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-204AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFM10N50
RFM10N50 Hakkında
RFM10N50, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-3 paketlemesinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, elektrik anahtarlama ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. 600mOhm'luk maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 150W maksimum güç tüketimi ile yüksek güçlü endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok