Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFM10N45
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-204AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFM10N45
RFM10N45 Hakkında
RFM10N45, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 450V Drain-Source gerilim desteği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. 10A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç kontrolü, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve DC-DC konvertör uygulamalarında yer almaktadır. TO-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 150W güç dağıtabilir. 10V gate voltajda 600mOhm RDS(on) değeri ile iletim kayıpları minimize edilmiştir. ±20V maksimum gate gerilimi ile uyumlu sürücü devrelerine bağlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok