Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFM10N15L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
RFM10N15L

RFM10N15L Hakkında

RFM10N15L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 150V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 5V gate sürüş voltajı ile TTL/CMOS mantık devreleri tarafından doğrudan kontrol edilebilir. 300mΩ on-state direnci (5A, 5V koşullarında) ve 75W maksimum güç dağılımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarına uygundur. TO-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 5A, 5V
Supplier Device Package TO-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok