Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFL1N12
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-205AF Metal Can
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFL1N12
RFL1N12 Hakkında
RFL1N12, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 120V Drain-Source gerilimi ve 1A sürekli dren akımı kapasitesiyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 1.9Ω maksimum Rds(On) değerine sahiptir. TO-205AF metal kab paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında 8.33W güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 8.33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-205AF (TO-39) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok