Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFH75N05E
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-218-3 Isolated Tab
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFH75N05E
RFH75N05E Hakkında
RFH75N05E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 75A sürekli dren akımı ve 50V dren-kaynak gerilimi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 8mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. TO-218-3 izole tab paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürme devreleri ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 240W güç tüketebilir. 10V drive voltajında optimize edilmiş tasarım, hızlı anahtarlama ve verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 400 nC @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-218 Isolated |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok