Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFH45N05

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-218-3 Isolated Tab
Seri / Aile Numarası
RFH45N05

RFH45N05 Hakkında

RFH45N05, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 45A sürekli drain akımı ve 50V drain-source voltajı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-218-3 Isolated Tab paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 40mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 150W güç disipasyon kapasitesine sahiptir. Endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun bir transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 22.5A, 10V
Supplier Device Package TO-218 Isolated
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok