Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFH30N15

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-218-3 Isolated Tab
Seri / Aile Numarası
RFH30N15

RFH30N15 Hakkında

RFH30N15, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj ve 30A sürekli drain akımı ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-218 paketinde monte edilen bu bileşen, 75mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği artırırken ısı yönetiminde kolaylık sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, endüstriyel kontrolörler, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama regülatörü uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürüşü voltajı ile standart lojik devrelerle doğrudan uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-218 Isolated
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok