Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFH30N12
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-218-3 Isolated Tab
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFH30N12
RFH30N12 Hakkında
RFH30N12, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30A sürekli dren akımı kapasitesi ve 120V dren-kaynak gerilimi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-218-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yer alır. 75mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate gerilim toleransı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama yelpazesine uygunluğunu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-218 Isolated |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok