Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFG75N05E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
RFG75N05E

RFG75N05E Hakkında

RFG75N05E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 75A sürekli dren akımı, 50V dren-kaynak gerilimi ve 8mOhm maksimum kapı-kaynak direnci ile güç uygulamalarında düşük kayıpla çalışmaya uygun tasarlanmıştır. ±20V kapı gerilimi aralığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve yüksek akımlı DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında güvenilir şekilde çalışır ve 240W güç saçabilme kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 400 nC @ 20 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok