Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD8P06LE
8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD8P06LE
RFD8P06LE Hakkında
RFD8P06LE, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel güç MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtar uygulamalarında kullanılır. 0.33 ohm düşük kanal direnci (RDS On) ile verimli güç aktarımı sağlar. 48W maksimum güç tüketimine ve -55°C ile 175°C işletme sıcaklığı aralığına sahiptir. TO-251-3 paketinde sunulan bu transistör, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 675 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 8A, 5V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok