Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD8P06ESM
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD8P06ESM
RFD8P06ESM Hakkında
RFD8P06ESM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET'tir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 60V drain-source voltajı ve 25°C'de 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Metal Oxide teknolojisine dayanan bu MOSFET, güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve düşük-tarafı kontrol (low-side switching) uygulamalarında kullanılır. Yüzey montaj teknolojisi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri ve elektrik güç dönüştürücülerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok