Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFD8P05SM

MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RFD8P05SM

RFD8P05SM Hakkında

RFD8P05SM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source voltajı ve 8A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (D-Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 300mOhm maksimum on-state direnci ve 80nC maksimum gate yükü özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç kaynağı kontrol devreleri, motor sürücüleri ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate voltajında 8A akımda ölçülen RDS(on) değeri ve 4V maksimum threshold voltajı, düşük güç tüketimi gerektiren tasarımlar için uygundur. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok