Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD8P05
MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD8P05
RFD8P05 Hakkında
RFD8P05, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 50V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V sürücü geriliminde 300mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. 80nC gate charge değeri hızlı anahtarlama için iyidir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında ve 48W maksimum güç yayılımı ile endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında kullanılmaya uygundur. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli çalışma sınırları tanımlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok