Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD7N10LE
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD7N10LE
RFD7N10LE Hakkında
RFD7N10LE, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 7A sürekli drain akımı (Id) ile güç uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 5V gate sürüş voltajında 300mΩ on-direnç (Rds On) değerine sahiptir. 47W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle motorlar, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yükleme kontrolü devreleri gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde çeşitli ortamlarda güvenilir performans sağlar. 150nC gate charge ve 360pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon yetenekleri belirtir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 7A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok