Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD4N06LSM9A
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD4N06LSM9A
RFD4N06LSM9A Hakkında
RFD4N06LSM9A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 4A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 5V gate sürüş voltajında 600mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Düşük gate charge (8nC) sayesinde hızlı anahtarlamalar gerçekleştirebilir. Maksimum 30W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok