Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD3N08LSM9A
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD3N08LSM9A
RFD3N08LSM9A Hakkında
RFD3N08LSM9A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 80V Drain-Source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 5V gate sürüş voltajında 800mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlamada kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır ve 30W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (8.5nC @ 10V) ve kontrollü threshold voltajı (2.5V @ 250µA) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 125 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 3A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok