Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD3N08L
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD3N08L
RFD3N08L Hakkında
RFD3N08L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilim (Vdss) ve 3A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 5V gate drive voltajında 800mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. TO-251-3 (IPak) paketlemesi ile Through Hole montajını destekler. Motor kontrol, güç dönüştürme, şarj devresi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 30W maksimum güç harcaması ile termal yönetimi kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 1.5A, 5V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok