Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFD3055SM9A

MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RFD3055SM

RFD3055SM9A Hakkında

RFD3055SM9A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source voltaj ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 150mΩ @ 12A, 10V On-resistance değeri ile düşük ısıl kayıp sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 53W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 23nC gate charge özellikleri hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok