Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD3055SM9A
MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD3055SM
RFD3055SM9A Hakkında
RFD3055SM9A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile çalışır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 10V gate geriliminde 150mOhm RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. 53W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 23nC gate yükü ve 300pF giriş kapasitesi ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. Dipnot: Bu ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok