Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD3055LE
RFD3055LESM9A Hakkında
RFD3055LESM9A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 11A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, 107mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan transistör, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 38W'a kadar güç harcanabilir. 5V drive voltajında çalışan bu FET, gömülü sistemlerde ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 107mOhm @ 8A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok