Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD3055LE
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD3055LE
RFD3055LE Hakkında
RFD3055LE, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, güç elektroniksi uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 5V gate sürme geriliminde 107mOhm'luk düşük üzerinde dirençle (RDS(on)) çalışır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. Motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, solenoid sürücüler ve power switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 38W maksimum güç dağılımı kapasitesi, orta güç uygulamalarına uygun tasarımını gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 107mOhm @ 8A, 5V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok