Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD3055
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD3055
RFD3055 Hakkında
RFD3055, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 12A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, düşük on-resistance (150mOhm @ 12A, 10V) ve hızlı anahtarlama karakteristiğiyle güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve anahtarlamalı güç kaynakları tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olması geniş endüstriyel uygulamalar için uygunluğunu sağlar. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 23nC gate charge değeri hızlı sürülebilirliğini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok