Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD20N03SM9A
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD20N03SM9A
RFD20N03SM9A Hakkında
RFD20N03SM9A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 20A sürekli dren akımı, 30V drain-source gerilimi ve 25mΩ on-resistance ile düşük güç kaybında çalışmaya uygun tasarlanmıştır. Surface Mount TO-252-3 (DPak) paketlemesiyle PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır. -55°C ile 175°C arası geniş işletme sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 90W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, motor sürücülerde, güç kaynakları ve DC-DC konverterlerde kullanılabilir. 10V drive voltage'da optimum performans göstermektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok