Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD20N03
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD20N03
RFD20N03 Hakkında
RFD20N03, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 20A sürekli drain akımı ve 30V drain-source gerilimi ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup 90W güç tüketimine dayanıklıdır. ±20V maksimum gate gerilimi ile kontrol devreleri tasarımında esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok