Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD16N06LESM9A
MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD16N06LESM9A
RFD16N06LESM9A Hakkında
RFD16N06LESM9A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 16A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 47mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayan transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. -55°C ile +175°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bileşen, 90W maksimum güç tüketimi kapasitesiyle tasarlanmıştır. 5V kapı sürüş voltajında optimum performans sunan transistör, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 16A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok