Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFD16N05SM_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RFD16N05SM

RFD16N05SM_NL Hakkında

RFD16N05SM_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 16A sürekli dren akımı ve 50V dren-kaynak voltajı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 47mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 72W güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Switch modu güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek frekanslı dönüştürücülerde tercih edilir. 80nC gate charge ve 900pF input kapasitesi ile hızlı komütasyon özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok