Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD16N05SM
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD16N05SM
RFD16N05SM Hakkında
RFD16N05SM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source geriliminde 16A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 47mOhm on-resistance değerine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile tasarlanmış olan komponent, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 72W güç tüketimi toleransı bulunan bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok