Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD16N05LSM9A
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD16N05LSM9A
RFD16N05LSM9A Hakkında
RFD16N05LSM9A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 50V Drain-Source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 5V Vgs'de 47mOhm Rds(on) değerine sahiptir. Gate şarj miktarı 10V'da 80nC'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve 60W güç dağıtabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devreleri için kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 16A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok