Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD16N05LSM
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD16N05LSM
RFD16N05LSM Hakkında
RFD16N05LSM, Rochester Electronics tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source voltajı ve 16A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-252 (D-Pak) yüzey monte pakajında sunulur. Maksimum 47mΩ on-resistance değeri ile 5V gate voltajında verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 60W güç yayınlayabilir. Genellikle güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlanmış güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Ürün şu anda üretim dışı konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 16A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok