Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFD16N05L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
RFD16N05L

RFD16N05L Hakkında

RFD16N05L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 16A sürekli drain akımı ve 50V drain-source gerilim kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 47mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 60W güç tüketimi kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 16A, 5V
Supplier Device Package TO-251AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok